Irf 2805

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The Field-Effect Transistor (FET) is a transistor that uses an electric field to control the shape and hence the conductivity of a channel of one type of charge . R MOHM 175C ENCAPSULAMENTO TO220. Drain-to-Source Breakdown Voltage. Power MOSFETs – Low Voltage N . Free delivery and returns on all eligible orders.

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Industria, Empresas y Ciencia. Polarità: N-CHANNEL (N-FET) Corrente: . Dados técnicos do produto: Datasheet. Passe o mouse na imagem para zoom. Avaliação dos clientes: ( ). MOS-N-FET,55V,75A,330W,TO-2217c,RDs(on) =4. Request International Rectifier Corp.

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